Tìm kiếm mã

Bài viết ứng dụng: Tích hợp cảm biến vật thể phản xạ QRD1114

Bài viết ứng dụng: Tích hợp cảm biến vật thể phản xạ QRD1114

Bài viết ứng dụng: Tích hợp cảm biến vật thể phản xạ QRD1114

Bài viết này cung cấp hướng dẫn thực tế để sử dụng cảm biến vật thể phản xạ QRD1114 của onsemi trong các hệ thống nhúng. Nội dung bao gồm nguyên lý hoạt động của cảm biến, thiết kế mạch hoàn chỉnh, ví dụ firmware và các cân nhắc hiệu suất chính dựa trên bảng dữ liệu chính thức.

qrd1114-1

1. Tổng quan về cảm biến

QRD1114 là cảm biến phản xạ gọn nhẹ, dạng xuyên lỗ, kết hợp một diode phát hồng ngoại (IR) và một phototransistor NPN trong một vỏ duy nhất. Khi một vật thể phản xạ được đặt trước cảm biến, ánh sáng hồng ngoại phát ra sẽ phản xạ trở lại phototransistor, khiến nó dẫn dòng điện. Dòng điện đầu ra này tỷ lệ với độ phản xạ của vật thể và khoảng cách (D) từ bề mặt cảm biến. Thiết bị không chứa chì, tuân thủ RoHS và có bộ lọc ánh sáng ban ngày để giảm nhiễu từ ánh sáng môi trường.

Kích thước vỏ QRD1114 (Case 100BY) từ bảng dữ liệu
Hình 1: Sơ đồ cơ khí và gán chân cho QRD1114 (Nguồn: bảng dữ liệu onsemi, Case 100BY). Chân 1 (Anode) và 2 (Cathode) dành cho bộ phát IR; Chân 3 (Collector) và 4 (Emitter) dành cho phototransistor.
qrd1114-pins

2. Ví dụ ứng dụng: Phát hiện vật thể cho băng chuyền

Trong kịch bản tự động hóa công nghiệp, QRD1114 có thể được sử dụng để phát hiện các kiện hàng đi qua trên băng chuyền. Cảm biến được gắn gần bề mặt băng chuyền. Theo bảng dữ liệu, khoảng cách cảm biến tối ưu (D) là 0,050 inch (1,27 mm) từ bề mặt cảm biến đến bề mặt phản xạ. Khi một kiện hàng đi qua ở khoảng cách này, ánh sáng hồng ngoại phản xạ tăng lên, đẩy dòng collector của phototransistor vượt qua ngưỡng đặt, báo hiệu sự hiện diện của vật thể. Tín hiệu này sau đó có thể được sử dụng để kích hoạt bộ đếm, kích hoạt bộ chuyển hướng hoặc ghi lại dấu thời gian.

Biểu đồ: Dòng collector chuẩn hóa so với khoảng cách từ bề mặt cảm biến
Hình 2: Đặc tính hiệu suất chính: Dòng collector chuẩn hóa giảm khi khoảng cách (D) đến bề mặt phản xạ tăng. Bảng dữ liệu chỉ định hiệu suất tại D = 0,050 inch (1,27 mm). Để phát hiện đáng tin cậy, cảm biến nên được đặt gần khoảng cách mục tiêu này (Nguồn: bảng dữ liệu onsemi, Hình 5).

3. Thiết kế mạch và giao diện

Phototransistor hoạt động như một bộ hút dòng. Một mạch giao diện đơn giản sử dụng điện trở kéo lên (RL) để chuyển đổi dòng collector (IC) thành điện áp (VOUT) có thể đọc được bằng bộ chuyển đổi tương tự sang số (ADC) của vi điều khiển hoặc đầu vào số với bộ so sánh.

3.1. Thiết kế sơ đồ mạch

Sơ đồ mạch ứng dụng cho QRD1114 với vi điều khiển
Hình 3: Mạch giao diện được khuyến nghị. Điện áp đầu ra VOUT = VCC - IC * RL. R1 giới hạn dòng LED, và RL là điện trở kéo lên cho phototransistor.

3.2. Lựa chọn linh kiện

  • VCC: 5V (hoặc 3,3V nếu tương thích với I/O của vi điều khiển).
  • R1 (Giới hạn dòng LED IR): Để đặt IF = 20 mA (điều kiện kiểm tra điển hình), R1 = (VCC - VF) / IF. Với VF ≈ 1,5V tại 20 mA (xem Hình 1 trong bảng dữ liệu), R1 ≈ (5V - 1,5V) / 0,02A = 175 Ω. Giá trị tiêu chuẩn 180 Ω là phù hợp.
  • RL (Điện trở kéo lên): Giá trị này xác định biên độ điện áp đầu ra. Với IC(ON) tối thiểu = 1 mA tại VCE = 5V (được kiểm tra tại D = 0,050 inch), điện trở 4,7 kΩ cung cấp sự cân bằng tốt. Khi có vật thể: VOUT ≈ 5V - (1 mA * 4,7 kΩ) ≈ 0,3V (thấp). Khi không có vật thể: VOUT ≈ 5V (cao, do dòng tối không đáng kể). Điện trở 4,7 kΩ được khuyến nghị.
  • C1: Tụ điện 0,1 µF tùy chọn để tách nguồn cung cấp và lọc nhiễu.

3.3. Ví dụ firmware (Mã giả kiểu Arduino)


const int sensorPin = A0; // Chân đầu vào tương tự
const int threshold = 200; // Ngưỡng ADC (0-1023), điều chỉnh dựa trên thử nghiệm

void setup() {
  Serial.begin(9600);
  pinMode(sensorPin, INPUT);
}

void loop() {
  int sensorValue = analogRead(sensorPin);
  // Trong mạch trên, Vout ở mức THẤP khi có vật thể
  if (sensorValue < threshold) {
    Serial.println("Đã phát hiện vật thể!");
    // Kích hoạt hành động, ví dụ: tăng bộ đếm, kích hoạt rơle
  } else {
    Serial.println("Không có vật thể");
  }
  delay(100);
}

4. Cân nhắc về hiệu suất và tối ưu hóa

Dựa trên bảng dữ liệu, một số yếu tố ảnh hưởng đến đầu ra của cảm biến. Quan trọng nhất là khoảng cách cảm biến (D):

  • Khoảng cách cảm biến tối ưu: Bảng dữ liệu chỉ định hiệu suất tại D = 0,050 inch (1,27 mm). Như thể hiện trong Hình 2, dòng điện đầu ra giảm mạnh khi khoảng cách tăng vượt quá điểm này. Để phát hiện đáng tin cậy, cảm biến nên được đặt càng gần khoảng cách tối ưu này càng tốt.
  • Độ phản xạ của vật thể: Thông số kỹ thuật IC(ON) (tối thiểu 1 mA) được đo bằng thẻ kiểm tra trắng có độ phản xạ 90%. Các bề mặt tối hơn hoặc mờ tạo ra tín hiệu yếu hơn. Ngưỡng có thể cần được điều chỉnh cho vật liệu mục tiêu cụ thể.
  • Nhiệt độ: Hình 3 trong bảng dữ liệu cho thấy dòng điện cực thu khá ổn định theo nhiệt độ, nhưng dòng điện tối (Hình 4) tăng theo nhiệt độ. Điều này có thể ảnh hưởng đến cài đặt ngưỡng ở nhiệt độ cao.
  • Ánh sáng môi trường: Bộ lọc ánh sáng ban ngày tích hợp làm giảm, nhưng không loại bỏ, ảnh hưởng của ánh sáng hồng ngoại môi trường. Trong môi trường có độ sáng cao, các kỹ thuật điều chế (ví dụ: xung LED và sử dụng phát hiện đồng bộ) có thể cải thiện khả năng chống nhiễu.
  • Nhiễu chéo: Thông số kỹ thuật ICX (nhiễu chéo) (điển hình 0,2 µA) là dòng điện cực thu khi không có bề mặt phản xạ. Điều này cần được xem xét trong thiết kế ngưỡng.
Đồ thị: Dòng điện cực thu chuẩn hóa theo nhiệt độ và Dòng điện tối theo nhiệt độ
Hình 4: Đặc tính hiệu suất theo nhiệt độ. Dòng điện cực thu vẫn tương đối ổn định, trong khi dòng điện tối tăng ở nhiệt độ cao hơn (Nguồn: bảng dữ liệu onsemi, Hình 3 và 4).

5. Kết luận

QRD1114 là giải pháp linh hoạt và tiết kiệm chi phí cho việc phát hiện vật thể không tiếp xúc trong nhiều ứng dụng, với phạm vi cảm biến tối ưu là 1,27 mm (0,050 inch). Bằng cách hiểu các đặc tính điện của nó và tuân theo các nguyên tắc thiết kế trong bài viết này, các kỹ sư có thể nhanh chóng tích hợp cảm biến này vào các hệ thống mạnh mẽ và đáng tin cậy. Luôn tham khảo bảng dữ liệu mới nhất để biết thông số kỹ thuật đầy đủ và các ràng buộc thiết kế.

Tài liệu tham khảo: Bảng dữ liệu cảm biến vật thể phản xạ onsemi QRD1114/D, tháng 12 năm 2024 – Rev. 5.

Hình ảnh

qrd1114-pins
qrd1114-pins
qrd1114-1
qrd1114-1
Không có mã đính kèm.

Tài nguyên & tài liệu tham khảo

Chưa có tài nguyên nào.

Tập tin📁

Bảng dữ liệu (pdf)

  • QRD1114 Cảm biến vật thể phản xạ datasheet PDF
    Mô tả Cảm biến phản xạ QRD1113 và QRD1114 bao gồm một diode phát hồng ngoại và một phototransistor silicon NPN được gắn cạnh nhau trong một vỏ nhựa màu đen. Bức xạ trên trục của bộ phát và phản hồi trên trục của máy dò đều vuông góc với bề mặt của QRD1113 và QRD1114. Phototransistor chỉ phản hồi với bức xạ phát ra từ diode khi một vật thể hoặc bề mặt phản xạ nằm trong trường nhìn của máy dò. Lấy datasheet từ robojax.com và mua nó từ Amazon từ các liên kết được cung cấp bên dưới.
    robojax_QRD1114-D.PDF 0.65 MB