บทความการประยุกต์ใช้งาน: การบูรณาการเซนเซอร์ตรวจจับวัตถุแบบสะท้อนแสง QRD1114
บทความการประยุกต์ใช้งาน: การบูรณาการเซนเซอร์ตรวจจับวัตถุแบบสะท้อนแสง QRD1114
บทความนี้ให้คำแนะนำเชิงปฏิบัติสำหรับการใช้เซนเซอร์ตรวจจับวัตถุแบบสะท้อนแสง QRD1114 ของ onsemi ในระบบฝังตัว โดยครอบคลุมหลักการทำงานของเซนเซอร์ การออกแบบวงจรที่สมบูรณ์ ตัวอย่างเฟิร์มแวร์ และข้อพิจารณาด้านประสิทธิภาพที่สำคัญตามข้อมูลจำเพาะอย่างเป็นทางการ
1. ภาพรวมเซนเซอร์
QRD1114 เป็นเซนเซอร์แบบสะท้อนแสงขนาดกะทัดรัดแบบทะลุรู ประกอบด้วยไดโอดเปล่งแสงอินฟราเรด (IR) และโฟโตทรานซิสเตอร์ชนิด NPN ในแพ็คเกจเดียว เมื่อวางวัตถุที่สะท้อนแสงไว้ด้านหน้าเซนเซอร์ แสงอินฟราเรดที่เปล่งออกมาจะสะท้อนกลับไปยังโฟโตทรานซิสเตอร์ ซึ่งจะนำกระแสไฟฟ้า กระแสเอาต์พุตนี้เป็นสัดส่วนกับการสะท้อนแสงของวัตถุและระยะห่าง (D) จากพื้นผิวเซนเซอร์ อุปกรณ์นี้ปลอดสารตะกั่ว เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS และมีตัวกรองแสงกลางวันเพื่อลดการรบกวนจากแสงแวดล้อม
2. ตัวอย่างการประยุกต์ใช้งาน: การตรวจจับวัตถุสำหรับสายพานลำเลียง
ในสถานการณ์ระบบอัตโนมัติทางอุตสาหกรรม QRD1114 สามารถใช้ตรวจจับพัสดุที่เคลื่อนผ่านบนสายพานลำเลียงได้ โดยติดตั้งเซนเซอร์ใกล้กับพื้นผิวสายพาน ตามข้อมูลจำเพาะ ระยะการตรวจจับที่เหมาะสมที่สุด (D) คือ 0.050 นิ้ว (1.27 มม.) จากพื้นผิวเซนเซอร์ถึงพื้นผิวสะท้อนแสง เมื่อพัสดุเคลื่อนผ่านที่ระยะนี้ แสงอินฟราเรดที่สะท้อนจะเพิ่มขึ้น ทำให้กระแสคอลเลกเตอร์ของโฟโตทรานซิสเตอร์สูงเกินเกณฑ์ที่ตั้งไว้ ส่งสัญญาณการมีอยู่ของวัตถุ สัญญาณนี้สามารถใช้เพื่อกระตุ้นตัวนับ เปิดใช้งานตัวเบี่ยงทิศทาง หรือบันทึกเวลาได้
3. การออกแบบวงจรและการเชื่อมต่อ
โฟโตทรานซิสเตอร์ทำงานเป็นตัวจมกระแส วงจรเชื่อมต่อแบบง่ายใช้ตัวต้านทานดึงขึ้น (RL) เพื่อแปลงกระแสคอลเลกเตอร์ (IC) เป็นแรงดันไฟฟ้า (VOUT) ที่ไมโครคอนโทรลเลอร์สามารถอ่านได้ผ่านตัวแปลงอนาล็อกเป็นดิจิทัล (ADC) หรืออินพุตดิจิทัลพร้อมตัวเปรียบเทียบ
3.1. การออกแบบแผนผังวงจร
3.2. การเลือกส่วนประกอบ
- VCC: 5V (หรือ 3.3V หากเข้ากันได้กับ I/O ของไมโครคอนโทรลเลอร์)
- R1 (ตัวจำกัดกระแส IR LED): เพื่อตั้งค่า IF = 20 mA (เงื่อนไขการทดสอบทั่วไป) R1 = (VCC - VF) / IF ด้วย VF ≈ 1.5V ที่ 20 mA (ดูรูปที่ 1 ในข้อมูลจำเพาะ) R1 ≈ (5V - 1.5V) / 0.02A = 175 Ω ค่ามาตรฐาน 180 Ω เหมาะสม
- RL (ตัวต้านทานดึงขึ้น): ค่านี้กำหนดช่วงสวิงของแรงดันเอาต์พุต ด้วย IC(ON) ขั้นต่ำ = 1 mA ที่ VCE = 5V (ทดสอบที่ D = 0.050 นิ้ว) ตัวต้านทาน 4.7 kΩ ให้การแลกเปลี่ยนที่ดี เมื่อมีวัตถุ: VOUT ≈ 5V - (1 mA * 4.7 kΩ) ≈ 0.3V (ต่ำ) เมื่อไม่มีวัตถุ: VOUT ≈ 5V (สูง เนื่องจากกระแสมืดมีค่าน้อยมาก) แนะนำตัวต้านทาน 4.7 kΩ
- C1: ตัวเก็บประจุ 0.1 µF เพิ่มเติมสำหรับการแยกแหล่งจ่ายไฟและการกรองสัญญาณรบกวน
3.3. ตัวอย่างเฟิร์มแวร์ (โค้ดเทียมแบบ Arduino)
const int sensorPin = A0; // ขาอินพุตอนาล็อก
const int threshold = 200; // เกณฑ์ ADC (0-1023) ปรับตามการทดสอบ
void setup() {
Serial.begin(9600);
pinMode(sensorPin, INPUT);
}
void loop() {
int sensorValue = analogRead(sensorPin);
// ในวงจรข้างต้น Vout จะต่ำเมื่อมีวัตถุ
if (sensorValue < threshold) {
Serial.println("ตรวจพบวัตถุ!");
// กระตุ้นการทำงาน เช่น เพิ่มตัวนับ เปิดใช้งานรีเลย์
} else {
Serial.println("ไม่มีวัตถุ");
}
delay(100);
}
4. ข้อพิจารณาด้านประสิทธิภาพและการปรับให้เหมาะสม
ตามข้อมูลจำเพาะ มีหลายปัจจัยที่ส่งผลต่อเอาต์พุตของเซนเซอร์ ปัจจัยที่สำคัญที่สุดคือ ระยะการตรวจจับ (D):
- ระยะการตรวจจับที่เหมาะสมที่สุด: แดตาชีตระบุประสิทธิภาพที่ D = 0.050 นิ้ว (1.27 มม.) ดังแสดงในรูปที่ 2 กระแสเอาต์พุตจะลดลงอย่างรวดเร็วเมื่อระยะทางเพิ่มขึ้นเกินจุดนี้ สำหรับการตรวจจับที่เชื่อถือได้ ควรวางเซนเซอร์ให้ใกล้กับระยะที่เหมาะสมที่สุดนี้มากที่สุด
- การสะท้อนแสงของวัตถุ: ค่าพิกัด IC(ON) (ขั้นต่ำ 1 mA) วัดโดยใช้การ์ดทดสอบสีขาวที่สะท้อนแสง 90% พื้นผิวที่เข้มกว่าหรือด้านจะให้สัญญาณที่อ่อนกว่า อาจต้องปรับเกณฑ์สำหรับวัสดุเป้าหมายเฉพาะ
- อุณหภูมิ: รูปที่ 3 ในแดตาชีตแสดงว่ากระแสคอลเลกเตอร์ค่อนข้างเสถียรเมื่อเทียบกับอุณหภูมิ แต่กระแสมืด (รูปที่ 4) จะเพิ่มขึ้นตามอุณหภูมิ ซึ่งอาจส่งผลต่อการตั้งค่าเกณฑ์ที่อุณหภูมิสูง
- แสงโดยรอบ: ฟิลเตอร์กรองแสงกลางวันในตัวช่วยลดแต่ไม่ได้กำจัดผลของแสงอินฟราเรดโดยรอบ ในสภาพแวดล้อมที่มีแสงสูง เทคนิคการมอดูเลต (เช่น การพัลส์ LED และใช้การตรวจจับแบบซิงโครนัส) สามารถปรับปรุงความทนทานต่อสัญญาณรบกวนได้
- ครอสทอล์ค: ค่าพิกัด ICX (ครอสทอล์ค) (ทั่วไป 0.2 µA) คือกระแสคอลเลกเตอร์เมื่อไม่มีพื้นผิวสะท้อนแสง ควรพิจารณาค่านี้ในการออกแบบเกณฑ์
5. บทสรุป
QRD1114 เป็นโซลูชันที่หลากหลายและคุ้มค่าสำหรับการตรวจจับวัตถุแบบไม่สัมผัสในการใช้งานที่หลากหลาย โดยมีระยะการตรวจจับที่เหมาะสมที่สุดที่ 1.27 มม. (0.050 นิ้ว) การทำความเข้าใจคุณลักษณะทางไฟฟ้าและการปฏิบัติตามแนวทางการออกแบบในบทความนี้ วิศวกรสามารถรวมเซนเซอร์นี้เข้ากับระบบที่แข็งแกร่งและเชื่อถือได้อย่างรวดเร็ว ควรอ้างอิงแดตาชีตล่าสุดเสมอสำหรับข้อมูลจำเพาะและข้อจำกัดการออกแบบที่สมบูรณ์
เอกสารอ้างอิง: แดตาชีตเซนเซอร์วัตถุสะท้อนแสง onsemi QRD1114/D, ธันวาคม 2024 – Rev. 5.
แหล่งข้อมูลและเอกสารอ้างอิง
ยังไม่มีทรัพยากรเลย
ไฟล์📁
แผ่นข้อมูล (pdf)
-
QRD1114 Reflective Object Sensor datasheet PDFDescription The QRD1113 and QRD1114 reflective sensors consist of an infrared emitting diode and an NPN silicon phototransistor mounted side by side in a black plastic housing. The on−axis radiation of the emitter and the on−axis response of the detector are both perpendicular to the face of the QRD1113 and QRD1114. The phototransistor responds to radiation emitted from the diode only when a reflective object or surface is in the field of view of the detector. get the datasheet from robojax.com and purchase it from Amazon from the provided links below.
robojax_QRD1114-D.PDF0.65 MB