NCEP15T14 — N-Kanal Süper Hendek Güç MOSFET Veri Sayfası

NCEP15T14, yüksek frekanslı anahtarlama ve senkron doğrultma için optimize edilmiş 150 V, 140 A N-kanal Süper Hendek güç MOSFET'idir. Hem iletim hem de anahtarlama kayıplarını en aza indirmek için çok düşük açık direnci rekabetçi kapı yüküyle birleştirir ve 175 °C bağlantı sıcaklığına kadar çalışma için kalifiye edilmiştir.

MOSFET N-kanal şematik

NCEP15T14 paket işaretlemesi

Ana Özellikler

Gerilim / Akım: V_DS = 150 V, I_D = 140 A (25 °C)
R_DS(on): 5.6 mΩ (tipik), 6.2 mΩ (maks) V_GS = 10 V, I_D = 70 A'de
Kapı yükü × R_DS(on): hızlı anahtarlama için mükemmel Kalite Faktörü
Çalışma bağlantı sıcaklığı: 175 °C'ye kadar
%100 UIS ve ΔV_DS test edilmiştir
Pd: 320 W (T_C = 25 °C'de)
Paket: TO-220-3L, kurşunsuz uç kaplaması

Tipik Uygulamalar

Yüksek frekanslı DC/DC dönüştürücüler
Senkron doğrultma aşamaları

Mutlak Maksimum Değerler (aksi belirtilmedikçe T_C = 25 °C)

Parametre	Sembol	Sınır	Birim
Drenaj–Kaynak Gerilimi	V_DS	150	V
Kapı–Kaynak Gerilimi	V_GS	±20	V
Sürekli Drenaj Akımı (25 °C)	I_D	140	A
Sürekli Drenaj Akımı (100 °C)	I_D(100 °C)	100	A
Nabız Drenaj Akımı	I_DM	440	A
Güç Dağılımı	P_D	320	W
Azaltma Faktörü	—	2.1	W/°C
Tek Darbe Çığ Enerjisi	E_AS	1296	mJ
Çalışma Bağlantı ve Depolama Sıcaklık Aralığı	T_J, T_STG	−55 ila 175	°C

Termal Özellikler

Parametre	Sembol	Tipik / Maks	Birim
Termal Direnç, Bağlantı–Kasa	R_θJC	0.47	°C/W

Elektriksel Özellikler (aksi belirtilmedikçe T_C = 25 °C)

Kapalı Durum Özellikleri

Parametre	Sembol	Test Koşulları	Min	Tipik	Maks	Birim
Drenaj–Kaynak Kırılma Gerilimi	BV_DSS	V_GS=0 V, I_D=250 µA	150	—	—	V
Sıfır Kapı Gerilimi Drenaj Akımı	I_DSS	V_DS=150 V, V_GS=0 V	—	—	1	µA
Kapı–Gövde Kaçak Akımı	I_GSS	V_GS=±20 V, V_DS=0 V	—	—	±100	nA

Açık Durum Özellikleri

Parametre	Sembol	Test Koşulları	Min	Tipik	Maks	Birim
Kapı Eşik Gerilimi	V_GS(th)	V_DS=V_GS, I_D=250 µA	2.0	3.0	4.0	V
Drenaj–Kaynak İletim Direnci	R_DS(on)	V_GS=10 V, I_D=70 A	—	5.6	6.2	mΩ
İleri İletkenlik	g_FS	V_DS=10 V, I_D=70 A	70	—	—	S

Dinamik Karakteristikler

Parametre	Sembol	Test Koşulları	Tipik	Birim
Giriş Kapasitansı	C_iss	V_DS=75 V, V_GS=0, f=1 MHz	5900	pF
Çıkış Kapasitansı	C_oss	yukarıdaki ile aynı	690	pF
Geri Besleme Kapasitansı	C_rss	yukarıdaki ile aynı	7	pF

Anahtarlama Performansı

Parametre	Sembol	Test Koşulları	Tipik	Birim
Açılma Gecikmesi	t_d(on)	V_DD=75 V, I_D=70 A, V_GS=10 V, R_G=4.7 Ω	26	ns
Yükselme Süresi	t_r	yukarıdaki ile aynı	36	ns
Kapanma Gecikmesi	t_d(off)	yukarıdaki ile aynı	47	ns
Düşme Süresi	t_f	yukarıdaki ile aynı	15	ns
Toplam Kapı Yükü	Q_g	V_DS=75 V, I_D=70 A, V_GS=10 V	80	nC
Kapı–Kaynak Yükü	Q_gs	yukarıdaki ile aynı	32	nC
Kapı–Drenaj Yükü	Q_gd	yukarıdaki ile aynı	13	nC

Gövde Diyotu Karakteristikleri

Parametre	Sembol	Test Koşulları	Tipik	Maks	Birim
Diyot İletim Gerilimi	V_SD	V_GS=0, I_F=I_S	—	1.2	V
Diyot İletim Akımı	I_S	—	—	140	A
Ters Toparlanma Süresi	t_rr	T_J=25 °C, I_F=I_S, di/dt=100 A/µs	140	—	ns
Ters Toparlanma Yükü	Q_rr	yukarıdaki ile aynı	498	—	nC

Notlar: (1) Tekrarlı derecelendirme maksimum bağlantı sıcaklığı ile sınırlıdır. (2) FR-4 üzerine yüzey montaj, t ≤ 10 s. (3) Darbe testi: PW ≤ 300 µs, Görev ≤ %2. (4) Tasarım gereği garanti edilir. (5) E_AS T_J=25 °C, V_DD=50 V, V_G=10 V, L=0.5 mH, R_g=25 Ω koşullarında.

Test Devreleri

Tek Darbeli Avalanj Enerjisi (EAS) Test Devresi
Kapı Yükü (Q_g) Test Devresi
Anahtarlama Süresi Test Devresi

Tipik Elektriksel & Termal Karakteristikler

Aşağıdaki şekiller (temsili çalışma noktalarında) cihaz davranışını göstermektedir:

Şekil 1: Çıkış Karakteristikleri (I_D vs V_DS)
Şekil 2: Transfer Karakteristikleri (I_D vs V_GS)
Şekil 3: R_DS(on) vs I_D
Şekil 4: Normalize Edilmiş R_DS(on) vs Bağlantı Sıcaklığı
Şekil 5: Kapı Yükü (Q_g)
Şekil 6: Gövde Diyotu İletim Karakteristikleri
Şekil 7: Kapasitanslar vs V_DS (C_iss, C_oss, C_rss)
Şekil 8: Güvenli Çalışma Alanı (SOA)
Şekil 9: Güç Derating vs T_J
Şekil 10: Akım Derating vs T_J
Şekil 11: Normalize Edilmiş Maksimum Geçici Termal Empedans

Paket Bilgisi — TO-220-3L

Mekanik boyutlar, PCB ayak izi ve mekanik entegrasyon için sağlanmıştır.

Sembol	mm cinsinden Boyutlar		inç cinsinden Boyutlar
Sembol	Min	Maks	Min	Maks
A	4.400	4.600	0.173	0.181
A1	2.250	2.550	0.089	0.100
b	0.710	0.910	0.028	0.036
b1	1.170	1.370	0.046	0.054
c	0.330	0.650	0.013	0.026
c1	1.200	1.400	0.047	0.055
D	9.910	10.250	0.390	0.404
E	8.950	9.750	0.352	0.384
E1	12.650	12.950	0.498	0.510
e	2.540 (TYP)		0.100 (TYP)
e1	4.980	5.180	0.196	0.204
F	2.650	2.950	0.104	0.116
H	7.900	8.100	0.311	0.319
h	0.000	0.300	0.000	0.012
L	12.900	13.400	0.508	0.528
L1	2.850	3.250	0.112	0.128
V	7.500 (REF)		0.295 (REF)
Φ (Delik Ø)	3.400	3.800	0.134	0.150

Tasarım ve Kullanım Notları

Darbe çalışması ve termal limitler için Güvenli Çalışma Alanını (SOA) gözlemleyin.
En düşük kayıplar için kapıyı 10–12 V'ta sürün ve anahtarlama stresini azaltmak için endüktans döngülerini küçük tutun.
Belirtilen 320 W güç dağılımını (T_C=25 °C) gerçekleştirmek için soğutucu gereklidir.
Sert komütasyon tasarımlarında gövde diyotu toparlanması (t_rr≈140 ns) dikkate alınmalıdır.

Yasal ve Güvenilirlik Bildirimleri

Yaşam destek veya diğer ultra yüksek güvenilirlikli uygulamalar için tasarlanmamıştır. Cihaz özellikleri bileşenin izole durumuna uygulanır; son sistemde performansı doğrulayın. Veriler önceden bildirilmeksizin değiştirilebilir.

Görseller

MOSFET N-channel_schematic

NCEP15T14 package info

NCEP15T14 package marking

package TO-220

Kod eklenmemiş.

Kaynaklar ve referanslar

Henüz kaynak yok.

Dosyalar📁

Veri Sayfası (pdf)

NCEP15T14 NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET Datasheet
/download/datasheet/ncep15t14.pdf 0.35 MB
NCEP15T14 NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET Datasheet
ncep15t14 MOSFET_datasheet.pdf 0.35 MB

NCEP15T14 — N-Kanal Süper Hendek Güç MOSFET Veri Sayfası