NCEP15T14 — N-Channel Super Trench Power MOSFET Tehnički list

NCEP15T14 je 150 V, 140 A N-kanalni Super Trench energetski MOSFET optimiziran za visokofrekventno prekidanje i sinhronu ispravljačku (rectification) primjenu. Kombinira vrlo nizak otpor u provodnom stanju s konkurentnim nabojem gejta kako bi minimizirao i provodne i prekidačke gubitke, te je kvalifikovan za rad do temperature spoja od 175 °C.

MOSFET N-kanalni_shematski prikaz

Označavanje kućišta NCEP15T14

Ključne karakteristike

Napon / Struja: V_DS = 150 V, I_D = 140 A (25 °C)
R_DS(on): 5.6 mΩ (tip.), 6.2 mΩ (maks.) pri V_GS = 10 V, I_D = 70 A
Naboj gejta × R_DS(on): odlična figura zasluga za brzo prekidanje
Radni spoj: do 175 °C
100% UIS i ΔV_DS testirano
Pd: 320 W (pri T_C = 25 °C)
Kućište: TO-220-3L, bezolovni završni sloj

Tipične primjene

Visokofrekventni DC/DC pretvarači
Sinhroni ispravljački stupnjevi

Apsolutna maksimalna ograničenja (T_C = 25 °C osim ako nije navedeno)

Parametar	Simbol	Granica	Jedinica
Napon Drain–Source	V_DS	150	V
Napon Gate–Source	V_GS	±20	V
Kontinuirana struja drejna (25 °C)	I_D	140	A
Kontinuirana struja drejna (100 °C)	I_D(100 °C)	100	A
Pulsna struja drejna	I_DM	440	A
Rasipanje snage	P_D	320	W
Faktor deratiranja	—	2.1	W/°C
Energija lavinskog efekta u jednom impulsu	E_AS	1296	mJ
Opseg radne temperature spoja i skladištenja	T_J, T_STG	−55 do 175	°C

Toplotne karakteristike

Parametar	Simbol	Tip. / Maks.	Jedinica
Toplotni otpor, spoj–prema–kućištu	R_θJC	0.47	°C/W

Električne karakteristike (T_C = 25 °C osim ako nije navedeno)

Karakteristike u isključenom stanju

Parametar	Simbol	Uvjeti testiranja	Min	Tip.	Maks.	Jedinica
Probojni napon Drain–Source	BV_DSS	V_GS=0 V, I_D=250 µA	150	—	—	V
Struja drejna pri nultom naponu gejta	I_DSS	V_DS=150 V, V_GS=0 V	—	—	1	µA
Propuštanje Gate–Body	I_GSS	V_GS=±20 V, V_DS=0 V	—	—	±100	nA

Karakteristike u provodnom stanju

Parametar	Simbol	Uvjeti ispitivanja	Min	Tip	Maks	Jedinica
Naponski prag na vratima	V_GS(th)	V_DS=V_GS, I_D=250 µA	2.0	3.0	4.0	V
Otpor u uključenom stanju između odvoda i izvora	R_DS(on)	V_GS=10 V, I_D=70 A	—	5.6	6.2	mΩ
Prijenosna transkonduktansa	g_FS	V_DS=10 V, I_D=70 A	70	—	—	S

Dinamičke karakteristike

Parametar	Simbol	Uvjeti ispitivanja	Tip	Jedinica
Ulazni kapacitet	C_iss	V_DS=75 V, V_GS=0, f=1 MHz	5900	pF
Izlazni kapacitet	C_oss	isto kao gore	690	pF
Povratni prijenosni kapacitet	C_rss	isto kao gore	7	pF

Performanse preklapanja

Parametar	Simbol	Uvjeti ispitivanja	Tip	Jedinica
Kašnjenje uključenja	t_d(on)	V_DD=75 V, I_D=70 A, V_GS=10 V, R_G=4.7 Ω	26	ns
Vrijeme porasta	t_r	isto kao gore	36	ns
Kašnjenje isključenja	t_d(off)	isto kao gore	47	ns
Vrijeme pada	t_f	isto kao gore	15	ns
Ukupno naelektrisanje vrata	Q_g	V_DS=75 V, I_D=70 A, V_GS=10 V	80	nC
Naelektrisanje vrata–izvora	Q_gs	isto kao gore	32	nC
Naelektrisanje vrata–odvoda	Q_gd	isto kao gore	13	nC

Karakteristike ugrađene diode

Parametar	Simbol	Uvjeti ispitivanja	Tip	Maks	Jedinica
Propusni napon diode	V_SD	V_GS=0, I_F=I_S	—	1.2	V
Propusna struja diode	I_S	—	—	140	A
Vrijeme povratnog oporavka	t_rr	T_J=25 °C, I_F=I_S, di/dt=100 A/µs	140	—	ns
Naelektrisanje povratnog oporavka	Q_rr	isto kao gore	498	—	nC

Napomene: (1) Ponavljajuća ocjena ograničena maksimalnom temperaturom spoja. (2) Površinska montaža na FR-4, t ≤ 10 s. (3) Test impulsa: PW ≤ 300 µs, radni ciklus ≤ 2%. (4) Zajamčeno dizajnom. (5) E_AS pri T_J=25 °C, V_DD=50 V, V_G=10 V, L=0.5 mH, R_g=25 Ω.

Ispitni krugovi

Ispitni krug za energiju lavinskog proboja s jednim impulsom (EAS)
Ispitni krug za naelektrisanje vrata (Q_g)
Ispitni krug za vrijeme preklapanja

Tipične električne i toplinske karakteristike

Sljedeće slike (na reprezentativnim radnim tačkama) ilustriraju ponašanje uređaja:

Slika 1: Izlazne karakteristike (I_D u odnosu na V_DS)
Slika 2: Prijenosne karakteristike (I_D u odnosu na V_GS)
Slika 3: R_DS(on) u odnosu na I_D
Slika 4: Normalizirani R_DS(on) u odnosu na temperaturu spoja
Slika 5: Naboj gejta (Q_g)
Slika 6: Karakteristike provođenja tjelesne diode
Slika 7: Kapacitivnosti u odnosu na V_DS (C_iss, C_oss, C_rss)
Slika 8: Sigurna radna oblast (SOA)
Slika 9: Smanjenje snage u odnosu na T_J
Slika 10: Smanjenje struje u odnosu na T_J
Slika 11: Normalizirana maksimalna prolazna toplotna impedansa

Informacije o paketu — TO-220-3L

Mehaničke dimenzije su date za PCB otisak i mehaničku integraciju.

Simbol	Dimenzije u mm		Dimenzije u inčima
Simbol	Min	Maks	Min	Maks
A	4.400	4.600	0.173	0.181
A1	2.250	2.550	0.089	0.100
b	0.710	0.910	0.028	0.036
b1	1.170	1.370	0.046	0.054
c	0.330	0.650	0.013	0.026
c1	1.200	1.400	0.047	0.055
D	9.910	10.250	0.390	0.404
E	8.950	9.750	0.352	0.384
E1	12.650	12.950	0.498	0.510
e	2.540 (TIP.)		0.100 (TIP.)
e1	4.980	5.180	0.196	0.204
F	2.650	2.950	0.104	0.116
H	7.900	8.100	0.311	0.319
h	0.000	0.300	0.000	0.012
L	12.900	13.400	0.508	0.528
L1	2.850	3.250	0.112	0.128
V	7.500 (REF.)		0.295 (REF.)
Φ (Rupa Ø)	3.400	3.800	0.134	0.150

Napomene o dizajnu i upotrebi

Pridržavajte se Sigurne radne oblasti (SOA) za pulsni rad i toplotna ograničenja.
Za najmanje gubitke, upravljajte gejtom na 10–12 V i održavajte male induktivnosti petlje kako biste smanjili prekidački stres.
Potreban je hladnjak za postizanje specificirane disipacije od 320 W (T_C=25 °C).
Oporavak tjelesne diode (t_rr≈140 ns) treba uzeti u obzir u dizajnima s tvrdom komutacijom.

Pravne napomene i napomene o pouzdanosti

Nije namijenjeno za podršku životnim funkcijama ili druge aplikacije s ultra-visokom pouzdanošću. Specifikacije uređaja odnose se na komponentu izolovano; provjerite performanse u krajnjem sistemu. Podaci se mogu mijenjati bez prethodne najave.

Slike

MOSFET N-channel_schematic

NCEP15T14 package info

NCEP15T14 package marking

package TO-220

Nema priloženog koda.

Resursi i reference

Još nema resursa.

Datoteke📁

Tehnički list (pdf)

NCEP15T14 NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET Datasheet
/download/datasheet/ncep15t14.pdf 0.35 MB
NCEP15T14 NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET Datasheet
ncep15t14 MOSFET_datasheet.pdf 0.35 MB

NCEP15T14 — N-Channel Super Trench Power MOSFET Tehnički list