NCEP15T14 — এন-চ্যানেল সুপার ট্রেঞ্চ পাওয়ার MOSFET ডেটাশিট

NCEP15T14 হল একটি 150 V, 140 A N-চ্যানেল সুপার ট্রেঞ্চ পাওয়ার MOSFET যা উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি সুইচিং এবং সিঙ্ক্রোনাস রেকটিফিকেশনের জন্য অপ্টিমাইজ করা হয়েছে। এটি খুব কম অন-রেজিস্ট্যান্সের সাথে প্রতিযোগিতামূলক গেট চার্জ একত্রিত করে যাতে কন্ডাকশন এবং সুইচিং উভয় ক্ষয়ক্ষতি কম হয় এবং এটি 175 °C জংশন তাপমাত্রা পর্যন্ত পরিচালনার জন্য যোগ্য।

MOSFET N-চ্যানেল স্কিম্যাটিক

NCEP15T14 প্যাকেজ মার্কিং

মূল বৈশিষ্ট্য

ভোল্টেজ / কারেন্ট: V_DS = 150 V, I_D = 140 A (25 °C)
R_DS(on): 5.6 mΩ (সাধারণ), 6.2 mΩ (সর্বোচ্চ) V_GS = 10 V, I_D = 70 A এ
গেট চার্জ × R_DS(on): দ্রুত সুইচিংয়ের জন্য চমৎকার ফিগার-অফ-মেরিট
অপারেটিং জংশন: 175 °C পর্যন্ত
100% UIS এবং ΔV_DS পরীক্ষিত
Pd: 320 W (T_C = 25 °C এ)
প্যাকেজ: TO-220-3L, Pb-মুক্ত লিড ফিনিশ

সাধারণ প্রয়োগ

উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি DC/DC কনভার্টার
সিঙ্ক্রোনাস রেকটিফিকেশন পর্যায়

সর্বোচ্চ রেটিং (T_C = 25 °C যদি না উল্লেখ করা হয়)

প্যারামিটার	সিম্বল	সীমা	একক
ড্রেইন–সোর্স ভোল্টেজ	V_DS	150	V
গেট–সোর্স ভোল্টেজ	V_GS	±20	V
নিরবচ্ছিন্ন ড্রেইন কারেন্ট (25 °C)	I_D	140	A
নিরবচ্ছিন্ন ড্রেইন কারেন্ট (100 °C)	I_D(100 °C)	100	A
স্পন্দিত ড্রেইন কারেন্ট	I_DM	440	A
পাওয়ার ডিসিপেশন	P_D	320	W
ডিরেটিং ফ্যাক্টর	—	2.1	W/°C
একক পালস অ্যাভালাঞ্চ এনার্জি	E_AS	1296	mJ
অপারেটিং জংশন ও স্টোরেজ তাপমাত্রা পরিসীমা	T_J, T_STG	−55 থেকে 175	°C

তাপীয় বৈশিষ্ট্য

প্যারামিটার	সিম্বল	সাধারণ / সর্বোচ্চ	একক
তাপীয় রেজিস্ট্যান্স, জংশন–থেকে–কেস	R_θJC	0.47	°C/W

বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্য (T_C = 25 °C যদি না উল্লেখ করা হয়)

অফ বৈশিষ্ট্য

প্যারামিটার	সিম্বল	পরীক্ষার শর্ত	সর্বনিম্ন	সাধারণ	সর্বোচ্চ	একক
ড্রেইন–সোর্স ব্রেকডাউন ভোল্টেজ	BV_DSS	V_GS=0 V, I_D=250 µA	150	—	—	V
শূন্য-গেট ভোল্টেজ ড্রেইন কারেন্ট	I_DSS	V_DS=150 V, V_GS=0 V	—	—	1	µA
গেট–বডি লিকেজ	I_GSS	V_GS=±20 V, V_DS=0 V	—	—	±100	nA

অন বৈশিষ্ট্য

প্যারামিটার	প্রতীক	পরীক্ষার শর্ত	সর্বনিম্ন	সাধারণ	সর্বোচ্চ	একক
গেট থ্রেশহোল্ড ভোল্টেজ	V_GS(th)	V_DS=V_GS, I_D=250 µA	2.0	3.0	4.0	V
ড্রেইন–সোর্স অন-স্টেট রেজিস্ট্যান্স	R_DS(on)	V_GS=10 V, I_D=70 A	—	5.6	6.2	mΩ
ফরোয়ার্ড ট্রান্সকন্ডাক্ট্যান্স	g_FS	V_DS=10 V, I_D=70 A	70	—	—	S

ডাইনামিক বৈশিষ্ট্য

প্যারামিটার	প্রতীক	পরীক্ষার শর্ত	সাধারণ	একক
ইনপুট ক্যাপাসিট্যান্স	C_iss	V_DS=75 V, V_GS=0, f=1 MHz	5900	pF
আউটপুট ক্যাপাসিট্যান্স	C_oss	উপরের মতোই	690	pF
রিভার্স ট্রান্সফার ক্যাপাসিট্যান্স	C_rss	উপরের মতোই	7	pF

সুইচিং কর্মক্ষমতা

প্যারামিটার	প্রতীক	পরীক্ষার শর্ত	সাধারণ	একক
টার্ন-অন বিলম্ব	t_d(on)	V_DD=75 V, I_D=70 A, V_GS=10 V, R_G=4.7 Ω	26	ns
রাইজ টাইম	t_r	উপরের মতোই	36	ns
টার্ন-অফ বিলম্ব	t_d(off)	উপরের মতোই	47	ns
ফল টাইম	t_f	উপরের মতোই	15	ns
মোট গেট চার্জ	Q_g	V_DS=75 V, I_D=70 A, V_GS=10 V	80	nC
গেট–সোর্স চার্জ	Q_gs	উপরের মতোই	32	nC
গেট–ড্রেইন চার্জ	Q_gd	উপরের মতোই	13	nC

বডি ডায়োড বৈশিষ্ট্য

প্যারামিটার	প্রতীক	পরীক্ষার শর্ত	সাধারণ	সর্বোচ্চ	একক
ডায়োড ফরোয়ার্ড ভোল্টেজ	V_SD	V_GS=0, I_F=I_S	—	1.2	V
ডায়োড ফরোয়ার্ড কারেন্ট	I_S	—	—	140	A
রিভার্স রিকভারি টাইম	t_rr	T_J=25 °C, I_F=I_S, di/dt=100 A/µs	140	—	ns
রিভার্স রিকভারি চার্জ	Q_rr	উপরের মতোই	498	—	nC

নোট: (1) পুনরাবৃত্তিমূলক রেটিং সর্বোচ্চ জংশন তাপমাত্রা দ্বারা সীমাবদ্ধ। (2) FR-4-এ সারফেস-মাউন্ট, t ≤ 10 s। (3) পালস পরীক্ষা: PW ≤ 300 µs, ডিউটি ≤ 2%। (4) ডিজাইন দ্বারা নিশ্চিত। (5) E_AS T_J=25 °C, V_DD=50 V, V_G=10 V, L=0.5 mH, R_g=25 Ω এ।

পরীক্ষার সার্কিট

সিঙ্গেল-পালস অ্যাভালাঞ্চ এনার্জি (EAS) পরীক্ষার সার্কিট
গেট চার্জ (Q_g) পরীক্ষার সার্কিট
সুইচিং টাইম পরীক্ষার সার্কিট

সাধারণ বৈদ্যুতিক ও তাপীয় বৈশিষ্ট্য

নিম্নলিখিত চিত্রগুলি (প্রতিনিধিত্বমূলক অপারেটিং পয়েন্টে) ডিভাইসের আচরণ ব্যাখ্যা করে:

চিত্র 1: আউটপুট বৈশিষ্ট্য (I_D বনাম V_DS)
চিত্র 2: ট্রান্সফার বৈশিষ্ট্য (I_D বনাম V_GS)
চিত্র 3: R_DS(on) বনাম I_D
চিত্র 4: নরমালাইজড R_DS(on) বনাম জাংশন তাপমাত্রা
চিত্র 5: গেট চার্জ (Q_g)
চিত্র 6: বডি ডায়োড ফরোয়ার্ড বৈশিষ্ট্য
চিত্র 7: ক্যাপাসিট্যান্স বনাম V_DS (C_iss, C_oss, C_rss)
চিত্র 8: নিরাপদ অপারেটিং এরিয়া (SOA)
চিত্র 9: পাওয়ার ডিরেটিং বনাম T_J
চিত্র 10: কারেন্ট ডিরেটিং বনাম T_J
চিত্র 11: নরমালাইজড সর্বোচ্চ ক্ষণস্থায়ী তাপীয় প্রতিবন্ধকতা

প্যাকেজ তথ্য — TO-220-3L

PCB ফুটপ্রিন্ট এবং যান্ত্রিক সংহতকরণের জন্য যান্ত্রিক মাত্রা প্রদান করা হয়েছে।

প্রতীক	মাত্রা মিমি-তে		মাত্রা ইঞ্চিতে
প্রতীক	সর্বনিম্ন	সর্বোচ্চ	সর্বনিম্ন	সর্বোচ্চ
A	4.400	4.600	0.173	0.181
A1	2.250	2.550	0.089	0.100
b	0.710	0.910	0.028	0.036
b1	1.170	1.370	0.046	0.054
c	0.330	0.650	0.013	0.026
c1	1.200	1.400	0.047	0.055
D	9.910	10.250	0.390	0.404
E	8.950	9.750	0.352	0.384
E1	12.650	12.950	0.498	0.510
e	2.540 (TYP)		0.100 (TYP)
e1	4.980	5.180	0.196	0.204
F	2.650	2.950	0.104	0.116
H	7.900	8.100	0.311	0.319
h	0.000	0.300	0.000	0.012
L	12.900	13.400	0.508	0.528
L1	2.850	3.250	0.112	0.128
V	7.500 (REF)		0.295 (REF)
Φ (হোল Ø)	3.400	3.800	0.134	0.150

ডিজাইন ও ব্যবহারের নোট

পালস অপারেশন এবং তাপীয় সীমার জন্য নিরাপদ অপারেটিং এরিয়া (SOA) পর্যবেক্ষণ করুন।
সর্বনিম্ন ক্ষতির জন্য, গেট 10–12 V-এ চালান এবং সুইচিং স্ট্রেস কমাতে লুপ ইনডাক্ট্যান্স ছোট রাখুন।
নির্দিষ্ট 320 W অপচয় (T_C=25 °C) অর্জনের জন্য হিটসিংক প্রয়োজন।
বডি ডায়োড রিকভারি (t_rr≈140 ns) হার্ড-কমিউটেশন ডিজাইনে বিবেচনা করা উচিত।

আইনি ও নির্ভরযোগ্যতা বিজ্ঞপ্তি

লাইফ-সাপোর্ট বা অন্যান্য অতি-উচ্চ-নির্ভরযোগ্যতা অ্যাপ্লিকেশনের জন্য উদ্দিষ্ট নয়। ডিভাইসের স্পেসিফিকেশন শুধুমাত্র উপাদানের ক্ষেত্রে প্রযোজ্য; চূড়ান্ত সিস্টেমে কর্মক্ষমতা যাচাই করুন। ডেটা পূর্ব ঘোষণা ছাড়াই পরিবর্তন সাপেক্ষ।